RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2486
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link