RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
101
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
101
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1382
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link