RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3311
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link