RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2346
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link