RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2783
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link