RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2488
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link