RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
46
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2481
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link