RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
68
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
68
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1812
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link