RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
22
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3774
3036
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link