RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Porównaj
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
30
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
19200
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
23400
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3774
2913
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link