RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
62
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
62
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2376
2138
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link