RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2625
2427
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link