RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2625
1650
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link