RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
87
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2477
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link