RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
87
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3015
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link