RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
87
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2808
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link