RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
87
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2795
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMX16GX3M2A1600C11 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link