RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
87
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1998
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-890.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link