RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
87
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
4124
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link