RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
87
Wokół strony -190% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3786
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link