RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
87
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2353
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link