RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
87
Wokół strony -335% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3540
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Inmos + 256MB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link