RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
87
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3756
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link