TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Wynik ogólny

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 17.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

870.4 13.8

Średnia wartość w badaniach

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 87

Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 5300

Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

87 27
Prędkość odczytu, GB/s

3,155.6 17.8
Prędkość zapisu, GB/s

870.4 13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 17000

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

417 3299

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB