RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
87
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2619
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link