RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
87
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3956
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link