RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 18.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    870.4 left arrow 15.8
    Średnia wartość w badaniach
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 87
    Wokół strony -211% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 5300
    Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    87 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,155.6 left arrow 18.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    870.4 left arrow 15.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    417 left arrow 3716

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Pamięć RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Pamięć RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Pamięć RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Pamięć RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Pamięć RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Pamięć RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Pamięć RAM