RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
87
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3158
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link