RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
87
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
4177
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link