RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
87
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3486
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link