RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
87
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3098
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link