RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
87
Wokół strony -314% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
4293
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link