RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
87
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3576
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link