RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
87
Wokół strony -295% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3083
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link