RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
87
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3245
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link