RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
87
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2427
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link