RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
87
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link