RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
87
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9
3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
70
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
9.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1363
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link