TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Wynik ogólny

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 13.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

870.4 9.7

Średnia wartość w badaniach

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

40 87

Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 5300

Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

87 40
Prędkość odczytu, GB/s

3,155.6 13.1
Prędkość zapisu, GB/s

870.4 9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 19200

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

417 2204

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Maxsun MSD48G30Q3 8GB

Maxsun MSD48G30Q3 8GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston 9965600-018.A00G 16GB

Kingston 9965600-018.A00G 16GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston 9905630-030.A00G 16GB

Kingston 9905630-030.A00G 16GB