RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
87
Wokół strony -335% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3127
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link