RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
87
Wokół strony -314% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3168
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link