RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
87
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3366
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link