RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
87
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2236
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link