RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
87
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2306
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link