RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
87
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2987
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6N1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link