RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
87
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2470
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link