RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
87
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3156
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link