RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
87
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2414
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link