RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
87
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3109
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link