RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
71
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
1866
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link